完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 張原銘 | en_US |
dc.contributor.author | 莊振益 | en_US |
dc.contributor.author | 戴鴻名 | en_US |
dc.contributor.author | 王浩偉 | en_US |
dc.contributor.author | 曾文綬 | en_US |
dc.contributor.author | 高斌栩 | en_US |
dc.contributor.author | 張樂融 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:59Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:12:59Z | - |
dc.date.issued | 2014-03-21 | en_US |
dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | B82Y040/00 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103942 | - |
dc.description.abstract | 一種自組式金屬奈米島陣列之製作方法,係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程,以形成一金屬奈米島陣列。利用此種製作方法,僅需單一濺鍍製程,即可完成金屬奈米島陣列的製作,相較於習知,不僅可有效減少繁瑣之製程步驟,更可進一步地節約能源、電力及製作成本。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 自組式金屬奈米島陣列之製作方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I430938 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |