用於減緩介金屬化合物成長之方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳智	en_US
dc.contributor.author	杜經寧	en_US
dc.contributor.author	蕭翔耀	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:02Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:02Z	-
dc.date.issued	2014-03-11	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/60	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103975	-
dc.description.abstract	本發明係有關於一種用於減緩介金屬化合物成長之方法，步驟包含：(i)製備一基板元件，包括在一基板上電鍍至少一金屬墊層，接著在該金屬墊層上電鍍至少一很薄的一薄銲料，進行適當的熱處理製程；(ii)在該基板元件上再鍍上適當厚度的銲料；其中，該薄銲料經過適當的熱處理後，會與金屬墊之金屬反應形成一薄的介金屬化合物，因此可以在之後的迴銲製程抑制介金屬化合物的生成速率之效果，藉以減緩微小接點銲料與金屬墊上的金屬反應變成介金屬化合物。一旦介金屬化合物成長速率能被減緩，錫晶鬚(Sn whisker)的成長也可以被抑制。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	用於減緩介金屬化合物成長之方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I430377	zh_TW
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