標題: 在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構
作者: 羅廣禮
簡昭欣
楊宗
公開日期: 16-Sep-2007
摘要: 本發明係提供一種在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構,其係包括一P^-型矽(110)基板、二離子植入區用於源極與汲極、一壓縮應變矽鍺通道層與一閘極結構,其中,在P^-型矽(110)基板上成長應變矽鍺電子通道層,以使得電子在【1-10】晶格方向上的傳導有效質量降低,提高電子在【1-10】方向上的傳導速度。因此,本發明係在矽(110)基板上可製作出高電子遷移率的N型金氧半電晶體。本發明所提出的N型金氧半電晶體還可以配合矽(110)基板上之高速P型金氧半電晶體以形成高性能之互補式金氧半電晶體。
官方說明文件#: H01L029/04
H01L029/772
URI: http://hdl.handle.net/11536/104057
專利國: TWN
專利號碼: 200735344
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