p型氧化鋅薄膜之製作方法

Abstract

本發明係為一p型氧化鋅薄膜之製作方法，其為在鍍有氮化矽薄膜的矽基板上，經由磁控射頻濺鍍法，在低溫(50℃)成長氧化鋅薄膜，再經過氮離子佈值處理及熱退火處理，改善其結晶性，並提升本質性紫外光區訊號，降低可見光放射強度，使其具有高電洞濃度、高電洞載子遷移率、高穩定性及光電特性佳等特性，可應用於p–n接面和半導體異質結構的光電元件上。