| 標題: | 以液相沈積成長二氧化鉿薄膜之方法 |
| 作者: | 蕭智文 羅正忠 陳昶維 |
| 公開日期: | 16-二月-2006 |
| 摘要: | 本發明關於利用液相沉積法以成長具有高介電常數之絕緣膜，特別是二氧化鉿絕緣層之方法，包括：(a)將二氧化鉿(HfO2)粉末加入氫氟酸(HF)溶液中，形成氫氟鉿酸鹽(HxHfyFz)溶液，前於低溫下加以攪拌溶解，使成為飽和溶液；(b)加入去離子水於該飽和溶液中，使其成為過飽和溶液；(c)將矽基板置入該過飽和溶液中，由於化學逆反應，可沉積高介電常數二氧化鉿(HfO2)薄膜於該矽基板上。 |
| 官方說明文件#: | C23C018/16 C23C018/16 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/104209 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 200606278 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
