以液相沈積成長二氧化鉿薄膜之方法

Abstract

本發明關於利用液相沉積法以成長具有高介電常數之絕緣膜，特別是二氧化鉿絕緣層之方法，包括：(a)將二氧化鉿(HfO2)粉末加入氫氟酸(HF)溶液中，形成氫氟鉿酸鹽(HxHfyFz)溶液，前於低溫下加以攪拌溶解，使成為飽和溶液；(b)加入去離子水於該飽和溶液中，使其成為過飽和溶液；(c)將矽基板置入該過飽和溶液中，由於化學逆反應，可沉積高介電常數二氧化鉿(HfO2)薄膜於該矽基板上。