標題: | 結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統 |
作者: | 許鉦宗 陳振嘉 |
公開日期: | 21-一月-2014 |
摘要: | 本發明係揭露一種結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統。此感測元件包含一矽奈米線閘極二極體、一頓化層以及一微流道。頓化層包覆此矽奈米線蕭特基二極體且具有一經修飾之表面,微流道與頓化層接合。當一待測樣品透過該微流道接觸此經修飾之表面時,矽奈米線閘極二極體係相對應地產生一電性訊號,如電流值、電阻值或電導值變化,藉此此電性訊號之變化以檢測待測樣品之存在。 |
官方說明文件#: | G01N033/50 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/104265 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I424160 |
顯示於類別: | 專利資料 |