增強式高電子移動率電晶體及其製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	張嘉華	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:14:10Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:14:10Z	-
dc.date.issued	2013-12-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/778	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/335	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/28	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104542	-
dc.description.abstract	本發明揭示一種增強式高電子移動率電晶體及其製造方法，其包括：一緩衝層，磊晶於一基板上；一源級及汲級，形成於該緩衝層上；複數個P-N接面，其係由多層堆疊之P-N接面形成於該緩衝層上、及該源級與汲級之間；及一閘極，形成於該等P-N接面之堆疊上；其中該P-N接面係由一P型及一N型半導體層所構成。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	增強式高電子移動率電晶體及其製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I420664	zh_TW
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