具有氮化鎵層的多層結構基板及其製法

Abstract

一種具有氮化鎵層的多層結構基板之製法，其係先在承載板上形成具有複數開孔之網狀層，並於該開孔內的承載板上依序形成緩衝層、三層不同鋁濃度之氮化鋁鎵層與氮化鎵層。本發明之三層不同鋁濃度之氮化鋁鎵層係能有效釋放應力、減少氮化鎵層表面裂痕與控制內部缺陷，因此可形成較大面積、較大厚度、無裂痕且較高品質的氮化鎵層，進而有利於高效能電子元件的製作。本發明復提供一種具有氮化鎵層的多層結構基板。