標題: | 空気媒質層を有する半導体光学装置の製造方法及び空気媒質層の形成方法(Asemiconductoropticaldevicehavingairmedialayerandthemethodforformingtheairmedialayer) |
作者: | 盧廷昌 黄▲キ▼閔 郭浩中 王興宗 |
公開日期: | 20-Jun-2013 |
摘要: | 【課題】半導体光学装置において良好な均一性を有する空気媒質層の製造方法を提供する。【解決手段】基板40上に、GaN(窒化ガリウム)薄膜42と、ZnO(酸化亜鉛)からなる犠牲層441と、窒素化合物を含む半導体層46と、からなる積層膜を形成した後、酸性溶液に浸すことで一部の犠牲層を取り除き、GaN(窒化ガリウム)薄膜42及び窒素化合物を含む半導体層46の間に残留した犠牲層441とその周囲の空間に空気媒質層442を有する半導体光学素子4を形成する。【選択図】図5 |
官方說明文件#: | H01L021/308 H01L021/306 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/105816 |
專利國: | JPN |
專利號碼: | 2013123025 |
Appears in Collections: | Patents |