標題: 太陽エネルギ電池のGexSi1-x緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。
作者: 張翼
唐士軒
林岳欽
公開日期: 3-Jun-2010
摘要: 【課題】GexSi1-x緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。【解決手段】Si基板上での高品質Ge成長を促進するため、変成GexSi1-x緩衝層103とSi基板101との間の接合部における歪緩和を強化するため、Si+をSi基板上へ注入する。更に数個のGexSi1‐x緩衝層(Si/Ge0.8Si0.2/Ge0.9Si0.1/Ge)103~105がUHVCVDによりSi基板上部に成長する。低転移密度の純Ge層がGexSi1-x緩衝層上に成長する。最後に、高効率III-V太陽電池201~206がGexSi1-x緩衝層上に成長する。【選択図】図2
官方說明文件#: H01L031/04
URI: http://hdl.handle.net/11536/105825
專利國: JPN
專利號碼: 2010123916
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