半導体基板上において３族窒化物半導体層を形成する方法

Abstract

【課題】シリコン半導体基板を含む半導体基板上において３族窒化物半導体層を大面積でエピタキシャル成長を行う技術を提供する。【解決手段】半導体基板の表面をフッ酸（ＨＦ）洗浄及び高温における酸化物の除去後、さらに３族窒化物ナノロッドバッファ層（ＧａＮナノロッドバッファ層）を形成し、３族窒化物半導体層（ＧａＮエピ層）を３族窒化物ナノロッドバッファ層において被覆成長させることで、半導体基板上に３族窒化物半導体層を形成する。【選択図】図２