標題: | 具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法 |
作者: | 林鴻志 蘇俊榮 徐行徽 李冠樟 |
公開日期: | 21-十二月-2012 |
摘要: | 一種具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法,其包含有一基底;一位於基底上的側閘極;一覆蓋於基底與側閘極上的介電層;一位於側閘極之側邊的懸浮式奈米線通道,其與介電層間具有一氣隙;以及一源極電極與一汲極電極,其係設置於介電層上且分設於懸浮式奈米線通道的兩端。藉由側閘極之靜電力對懸浮式奈米線通道之吸附或分離,來達到快速改變等效側閘極介電層厚度,而使元件在開關狀態上快速切換或改變通道之起始電壓。 |
官方說明文件#: | H01L021/336 H01L029/772 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/105935 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I380376 |
顯示於類別: | 專利資料 |