標題: 薄膜式電磁線圈之製作方法
作者: 呂宗熙
蘇侯舉
公開日期: 1-五月-2007
摘要: 本發明係提供一種薄膜式電磁線圈之製作方法,係利用原子力顯微鏡進行微影(Force Lithography)加工,製造具有奈米等級的電磁線圈,進而提高其磁場強度;其係利用原子力微影顯微技術於一薄膜基材上進行加工,使其呈現凹陷結構,再經由一微機電製程,形成一具有奈米等級、高磁場強度的薄膜式電磁線圈,以達到降低成本、提升電磁線圈效率之功能。
官方說明文件#: H01F041/04
URI: http://hdl.handle.net/11536/106265
專利國: TWN
專利號碼: I280594
顯示於類別:專利資料


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