標題: 磁光式之近場光學光儲存元件
作者: 徐文祥
謝漢萍
孫翊庭
公開日期: 21-八月-2006
摘要: 本發明係提供一種磁光式之近場光學光儲存元件,係先利用犧牲層製作空氣軸承結構;再定義一初始小孔,並以電鍍法縮小該孔至奈米等級,再以兩次之厚膜光阻層配合兩次電鍍製程,製作高深寬比之金屬線圈結構與金屬內連線;可有效利用面積與降低電阻,最後利用微影製程中對不同區域的不同曝光量控制,定義單層光阻形成具有特定尺寸且不同厚度之結構,接著配合回流(reflow)即可利用一連續製程製作出結合超半球固態浸沒式透鏡(solid immersion lens)、奈米微孔、金屬線圈、空氣軸承之磁光(MO)讀取頭,而不需精密昂貴的設備,並可批次大量生產,免去組裝的步驟,並且不用高精密度之儀器即可製作,達到高資料儲存與複寫。
官方說明文件#: G11B011/10
G11B011/10
URI: http://hdl.handle.net/11536/106323
專利國: TWN
專利號碼: I260583
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