標題: | 多孔奈米結構之製作方法 |
作者: | 張原銘 莊振益 |
公開日期: | 1-九月-2014 |
摘要: | 一種多孔奈米結構之製作方法,係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程,以形成一金屬奈米網格陣列。之後,再對上述之半導體基材與金屬奈米網格陣列進行一乾蝕刻製程,以在半導體基材上形成一多孔奈米結構。利用此種製作方法,僅需兩道製程步驟,即可完成高性能之抗反射多孔矽奈米仿生結構的製作,相較於習知,可有效兼具減少繁瑣製程步驟以及具備高抗反射性之優點。 |
官方說明文件#: | B82B003/00 H01L021/3065 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/106327 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I450853 |
顯示於類別: | 專利資料 |