全空乏型絕緣層上矽晶金氧半場效電晶體裝置及其製法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	崔秉鉞	en_US
dc.contributor.author	林家彬	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:17Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:17Z	-
dc.date.issued	2006-01-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/772	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106344	-
dc.description.abstract	本發明提出一種奈米尺寸之高性能絕緣層上矽晶金氧半場效電晶體裝置及其製法，其特徵在於裝置包括：一金屬氧化物半導體形成於絕緣層上矽晶基板之上；一金屬矽化物層，在閘極方面具有單一之全金屬矽化物閘極、高介電常數介電層以及可調變功函數之部件；在源、汲極部分則具有除了完全反應之金屬矽化物之源、汲極外，以及修正蕭基接面之源極與汲極結構。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	全空乏型絕緣層上矽晶金氧半場效電晶體裝置及其製法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I248211	zh_TW
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