深次微米級T型閘極半體裝置之製造方法

Abstract

次微米T形閘極技術是運用了I-line步進機以及相移光罩研發而成。由於這項技術具有成本低廉以及產能高等優點，對於砷化鎵單質微波積體電路的技術而言，非常具有競爭力。而在本發明中所描述的技術正是一種使用PSM技術製作出來的優秀T形閘極技術。首先，我們在晶片上鍍上一層2500A的氮化矽，並選擇8%半調相移光罩以及 I-line步進機進行曝光，製作出隔絕的窄溝結構。接下來運用反應離子蝕刻機進行乾式蝕刻製作出線寬小於0.25μ m的氧化矽窄溝，然後再將光阻去除。為了進一步縮小窄溝線寬，再將整片晶片鍍上一層500A的氮化矽後再使用反應離子蝕刻機蝕刻氮化矽，這個步驟可將窄溝的線寬縮小至0.2μm以下。最後塗佈一層光阻製作出T形閘極的結構後，再鍍上閘極金屬後進行撕開(lift-off)的製程，完成全部的閘極製程。和傳統砷化鎵單質微波積體電路製程比較，這種T形閘極的製程具有產能更高、成本更低等等的優點。