| 標題: | 鐵電場效電晶體製造方法 |
| 作者: | 陳三元 孫嘉良 荊鳳德 |
| 公開日期: | 21-九月-2003 |
| 摘要: | 本案係指一種鐵電場效電晶體製造方法，其係應用於金屬/鐵電薄膜/絕緣層/半導體(MFIS)結構的閘極電容元件製作上，該方法乃藉由在該絕緣層上沈積一鉍系鐵電薄膜，並經由一高溫熱處理後，再鍍上一上電極層於該鉍系鐵電薄膜上，俾得致該鐵電場效電晶體結構。 |
| 官方說明文件#: | H01L027/13 H01L027/13 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/106457 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 00554524 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
