一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構

完整後設資料紀錄

DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李承士	en_US
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:30Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:30Z	-
dc.date.issued	2003-07-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/12	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L029/12	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106462	-
dc.description.abstract	本發明係提供一種在砷化鎵(GaAs)半導體上的蕭基 (Schottky)結構，包括：一砷化鎵(GaAs)半導體基板；以及一金屬鈦(Ti)層，分佈於該砷化鎵(GaAs)半導體基板上，以形成蕭基接觸；以及一擴散障礙層，分佈於該金屬鈦(Ti)層上，用以阻擋金屬層之擴散；以及一第一金屬銅(Cu)層，分佈於該擴散障礙層上；藉由該擴散障礙層，俾可使後續的銅(Cu)金屬製程直接鍍在第一金屬銅(Cu)層之上。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	一種在砷化鎵半導體上的蕭基（Schottky）結構	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	00540160	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。