前瞻銦鎵鋅氧薄膜電晶體之閘極電應力與自我加熱效應可靠度分析

標題:	前瞻銦鎵鋅氧薄膜電晶體之閘極電應力與自我加熱效應可靠度分析 Investigation on Reliability of Advanced a-InGaZnO Thin Film Transistors under Gate Bias Stress and Self-Heating Effect
作者:	洪宜諼 Hung, Yi-Syuan 施敏張鼎張 Sze,Simon Chang, Ting-Chang 電子工程學系電子研究所
關鍵字:	銦鎵鋅氧薄膜電晶體;閘極電應力;可靠度;焦耳熱;自我加熱效應;InGaZnO;thin film transistors;gate bias stress;Joule-heating;self-heating effect
公開日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070250110 http://hdl.handle.net/11536/126622
顯示於類別：	畢業論文