三維成長之氮化鎵對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體在矽基板(111)之高電壓應用

標題:	三維成長之氮化鎵對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體在矽基板(111)之高電壓應用 AlGaN/GaN HEMT with 3D Growth Mode GaN Nucleation Layer on Silicon (111) Substrates for High Voltage Applications
作者:	蕭名堯 Hsiao, Ming-Yao 張翼馬哲申 Chang, Edward Yi Maa, Jer Shen 照明與能源光電研究所
關鍵字:	氮化鎵三五族材料電晶體;GaN III-V material HEMTs
公開日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT070258112 http://hdl.handle.net/11536/127782
顯示於類別：	畢業論文