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dc.contributor.author莊景德en_US
dc.contributor.author楊皓義en_US
dc.contributor.author盧建宇en_US
dc.contributor.author陳建亨en_US
dc.contributor.author張琦昕en_US
dc.contributor.author黃柏蒼en_US
dc.contributor.author賴淑琳en_US
dc.contributor.author黃威en_US
dc.contributor.author周世傑en_US
dc.contributor.author杜明賢en_US
dc.date.accessioned2015-12-04T07:03:18Z-
dc.date.available2015-12-04T07:03:18Z-
dc.date.issued2015-05-11en_US
dc.identifier.govdocG11C007/12zh_TW
dc.identifier.govdocG11C011/413zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/128715-
dc.description.abstract1.一種靜態隨機存取記憶體,其包含:一預充裝置,其連接至一第一區域位元線,以對該第一區域位元線進行預充;一第一單元行陣列/周邊電路,連接至該第一區域位元線,該第一單元行陣列具有多個單元以暫存資料,該多個單元連接至該第一區域位元線,該第一單元行陣列/周邊電路具有一第一單元行陣列;以及一第一漣波緩衝裝置,其連接至該第一區域位元線及一第二區域位元線,該第一漣波緩衝裝置將該第一區域位元線的資料傳遞至該第二區域位元線,其中,該第一單元行陣列的一選擇訊號沒有動作時,一第一PMOS電晶體導通,以由一高電位對該第一區域位元線進行預充,該第一單元行陣列的該選擇訊號動作時,該第一PMOS電晶體關閉,該第一區域位元線處於浮接狀態。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title靜態隨機存取記憶體zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI484499zh_TW
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