標題: 具紫外光吸收層之薄膜電晶體
作者: 謝漢萍
劉柏村
蔡韻竹
蔡旻諺
鄧立峯
公開日期: 11-Sep-2015
摘要: 一種薄膜電晶體,包括:一透明基板:一閘極,該閘極設置於該透明基板上,其中該閘極之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide)、銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide),摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO),銅(Cu),銀(Ag),鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中所選出;一閘絕緣層,該閘絕緣層設置在該閘極上及該透明基板上,其中該閘絕緣層之材料係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出;一半導體主動層,該半導體主動層設置在該閘絕緣層上,其中該半導體主動層之材料係由氧化鋅(ZnO),氧化銦(In2 O3 ),ZTO,IGO,IZTO,AZTO以及HIZO所組成之族群中所選出;一電極層,該電極層設置在該半導體主動層上且曝露出部份該半導體主動層,其中該電極層之材料係由銦錫氧化物(ITO,Indium tin oxide),銦鋅氧化物(IZO,indium zinc oxide),摻雜鋁之氧化鋅(AZO,Al-doped ZnO),銅(Cu),銀(Ag),鋁(Al)以及鉬(Mo)所組成之族群中選出;以及一紫外光吸收層,設置在該半導體主動層上,其中該紫外光吸收層係由氧化鉬鋅(Mo-Zn-O)以及氧化鋯鋅(ZrZnO)所組成之族群中所選出。
官方說明文件#: H01L031/10
H01L029/78
URI: http://hdl.handle.net/11536/128776
專利國: TWN
專利號碼: I500179
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