場效電晶體微縮至3奈米技術點的長距庫倫效應研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳明哲	zh_TW
dc.contributor.author	CHEN MING-JER	en_US
dc.date.accessioned	2016-03-28T08:17:29Z	-
dc.date.available	2016-03-28T08:17:29Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST104-2221-E009-072-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/130067	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11580720&docId=471220	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	場效電晶體微縮至3奈米技術點的長距庫倫效應研究	zh_TW
dc.title	Long-Range Coulomb Effects on FETs Scaling down to 3-nm Node	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫