以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( II )

標題:	以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( II ) Improving Ge-Based Shallow Junctions and Low Resistance Contact by Ion Implantation Technology( II )
作者:	國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期:	2015
官方說明文件#:	MOST104-2622-E009-008-CC2
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130127 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11606547&docId=474534
Appears in Collections:	Research Plans