新世代非揮發性記憶體之研究與發展

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	荊鳳德	zh_TW
dc.contributor.author	CHIN ALBERT	en_US
dc.date.accessioned	2016-03-28T08:17:44Z	-
dc.date.available	2016-03-28T08:17:44Z	-
dc.date.issued	2015	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST103-2923-E009-002-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/130395	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11280200&docId=457644	en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	新世代非揮發性記憶體之研究與發展	zh_TW
dc.title	New Generation of Non-Volatile Flash Memory: Research and Development	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫