標題: | 平面及鰭狀場效電晶體高階奈米缺陷統計物理模式:隨機電報雜訊和偏壓溫度不穩度 Advanced Nanoscale Defect Statistical Model for Random Telegraph Signals and Bias and Temperature Instabilities in Planar Mosfets and FinFETs |
作者: | 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 |
公開日期: | 2016 |
官方說明文件#: | MOST104-2221-E009-058-MY3 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/130564 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11588143&docId=473262 |
顯示於類別: | 研究計畫 |