外加應力影響下單層二硫化鉬之多體及自旋性質：偽藍道能級之理論研究

標題:	外加應力影響下單層二硫化鉬之多體及自旋性質：偽藍道能級之理論研究 Theoretical Studies of Fractionally Filled Pseudo-Landau Levels in Strained Mos2 Monolayers
作者:	鄭舜仁 Cheng Shun-Jen 國立交通大學電子物理學系（所）
公開日期:	2016
官方說明文件#:	MOST104-2112-M009-002-MY2
URI:	http://hdl.handle.net/11536/130879 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11716343&docId=478187
顯示於類別：	研究計畫