下一世代嵌入式新架構電阻式記憶體關鍵技術開發

標題:	下一世代嵌入式新架構電阻式記憶體關鍵技術開發 Key Technologies on Developing a New Architecture Resistance Memory for Next Generation Embedded Applications
作者:	莊紹勳國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字:	;
公開日期:	2016
摘要:
官方說明文件#:	MOST105-2221-E009-130-MY3
URI:	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11876331&docId=484524 http://hdl.handle.net/11536/131787
顯示於類別：	研究計畫