非揮發性金屬橋梁式電阻式記憶體之研發

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	曾俊元	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:56:47Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:56:47Z	-
dc.date.issued	2016	en_US
dc.identifier.govdoc	MOST105-2221-E009-143-MY3	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11886505&docId=487398	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/131851	-
dc.description.abstract		zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	科技部	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject		zh_TW
dc.subject		en_US
dc.title	非揮發性金屬橋梁式電阻式記憶體之研發	zh_TW
dc.title	Research and Development of Nonvolatile Conducting-Bridge Resistive Switching Memory (Cbram)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	國立交通大學電子工程學系及電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫