標題: 以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( III )
Improving Ge-Based Shallow Junctions and Low Resistance Contact by Ion Implantation Technology( III )
作者: 崔秉鉞
林炯源
國立交通大學電子工程學系及電子研究所 
關鍵字:  ; 
公開日期: 2016
摘要:  
 
官方說明文件#: MOST105-2622-E009-002-CC2 
URI: https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11947538&docId=495373
http://hdl.handle.net/11536/132044
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