标题: | 以离子植入技术改善锗超浅接面与超低接触阻抗( III ) Improving Ge-Based Shallow Junctions and Low Resistance Contact by Ion Implantation Technology( III ) |
作者: | 崔秉钺 林炯源 国立交通大学电子工程学系及电子研究所 |
关键字: | ; |
公开日期: | 2016 |
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官方说明文件#: | MOST105-2622-E009-002-CC2 |
URI: | https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11947538&docId=495373 http://hdl.handle.net/11536/132044 |
显示于类别: | Research Plans |