标题: 以离子植入技术改善锗超浅接面与超低接触阻抗( III )
Improving Ge-Based Shallow Junctions and Low Resistance Contact by Ion Implantation Technology( III )
作者: 崔秉钺
林炯源
国立交通大学电子工程学系及电子研究所 
关键字:  ; 
公开日期: 2016
摘要:  
 
官方说明文件#: MOST105-2622-E009-002-CC2 
URI: https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=11947538&docId=495373
http://hdl.handle.net/11536/132044
显示于类别:Research Plans