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dc.contributor.author陳茂傑 zh_TW
dc.date.accessioned2016-12-20T03:57:07Z-
dc.date.available2016-12-20T03:57:07Z-
dc.date.issued1993en_US
dc.identifier.govdocNSC82-0404-E009-237 zh_TW
dc.identifier.urihttps://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59399&docId=8718en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/132184-
dc.description.abstract矽化鉑(PtSi)具有化學性質穩定,電阻係數低,矽 化時消耗矽材體積最小等優點,而且是最早應用 到積體電路上的金屬矽化物;但因高溫穩定性不 足,用途僅限於雙載子電路的接觸材料.我們在最 近兩三年對於Pt-Si(單晶矽)系統在積體應用上的材料性質及製程技術的研究,已經獲得一全面性 的基本瞭解和突破,確信在未來次微米元件尺寸 繼續縮小及製程溫度繼續降低的必然趨勢下,PtSi 在積體電路的應用上將是最具潛力的金屬矽化物 .然而PtSi的積體電路應用,不僅與單晶的Si基板有 關,亦與複晶矽膜(Poly-Si)有密切關聯. zh_TW
dc.description.abstract en_US
dc.description.sponsorship行政院國家科學委員會 zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject可靠度zh_TW
dc.subject接觸電阻zh_TW
dc.subject障礙層zh_TW
dc.subject雜質擴散zh_TW
dc.subject多晶矽 zh_TW
dc.subjectReliabilityen_US
dc.subjectContact resistanceen_US
dc.subjectBarrier layeren_US
dc.subjectDopant diffusionen_US
dc.subjectPolysilicon en_US
dc.title鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II)zh_TW
dc.titleStudy on Pt-Poly Si System Relevant to VLSI Applications(II)en_US
dc.typePlanen_US
dc.contributor.department交通大學電子研究所 zh_TW
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