鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II)

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	陳茂傑	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:07Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:07Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-237	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=59399&docId=8718	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132184	-
dc.description.abstract	矽化鉑(PtSi)具有化學性質穩定,電阻係數低,矽化時消耗矽材體積最小等優點,而且是最早應用到積體電路上的金屬矽化物;但因高溫穩定性不足,用途僅限於雙載子電路的接觸材料.我們在最近兩三年對於Pt-Si(單晶矽)系統在積體應用上的材料性質及製程技術的研究,已經獲得一全面性的基本瞭解和突破,確信在未來次微米元件尺寸繼續縮小及製程溫度繼續降低的必然趨勢下,PtSi 在積體電路的應用上將是最具潛力的金屬矽化物 .然而PtSi的積體電路應用,不僅與單晶的Si基板有關,亦與複晶矽膜(Poly-Si)有密切關聯.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	可靠度	zh_TW
dc.subject	接觸電阻	zh_TW
dc.subject	障礙層	zh_TW
dc.subject	雜質擴散	zh_TW
dc.subject	多晶矽	zh_TW
dc.subject	Reliability	en_US
dc.subject	Contact resistance	en_US
dc.subject	Barrier layer	en_US
dc.subject	Dopant diffusion	en_US
dc.subject	Polysilicon	en_US
dc.title	鉑-矽複晶系統在積體電路應用上之相關技術(II)	zh_TW
dc.title	Study on Pt-Poly Si System Relevant to VLSI Applications(II)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
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