快速與光電元件及毫微米結構之特性與可靠性研究

Abstract

由於本研究�已成功地成長出高品質的GaInP/ GaAs磊晶層,對於AlGaInP/GaAs的異質結構亦有深入的 了解,另外,也研製出閘極長度為1um的HEMT結構及 GaAs/GaInP的DH雷射二極體,且得到相當不錯的特性.因此,本計畫將持續以前的研究工作,將對各種高 速及光電元件(如HEMT, HBT, 和LD)探討其可靠性的問 題,同時配合電腦模擬計算以期能改善元件的各 種操作特性,如功率輸出大小,雜訊,及溫度效應等 性質.同時也將利用有機金屬化學汽相磊晶技術( MOCVD),電子束微影技術(Electron Beam Lithography)及活 性離子蝕刻技術(RIE)來研究量子效應(Quantum Effects )結構,並探討在次微米製程上遭遇到的各種問題. 本計畫主題包含下列五項:ぇ:選擇性區域磊晶成長(Selective Area Growth).え:活性離子蝕刻技術及傳統溶液蝕刻技術(Wet Etching)對次微米結構之影響.ぉ:量子效應結構之研究及相關效應之測量;包括: 量子線(Quantum Wire),量子盒(Quantum Box),及量子井線( Quantum Well Wire).�:超小面積之歐姆接觸及其在量子效應元件之 應用.