室溫液相沈積矽氧化膜之特性探討

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	葉清發	zh_TW
dc.date.accessioned	2016-12-20T03:57:09Z	-
dc.date.available	2016-12-20T03:57:09Z	-
dc.date.issued	1993	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC82-0404-E009-374	zh_TW
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=67159&docId=9932	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/132218	-
dc.description.abstract	�計畫名稱:室溫液相沈積矽氧化膜之特性探討�研究背景:微電子製作技術�,矽氧化膜(SiO/sub 2 /)是最佳,廣為採用的絕緣膜.隨著VLSI高積體化,及 LCD的玻璃大面積化,矽氧化膜的製作溫度要求低溫化.雖然目前PECVD,Photo-CVD等技術已可降低基板溫度至200 .sim. 300□,但是硬體設備昂貴且有電漿離子充電等問題,此外該溫度對某些材料基板,如一般玻璃或金屬Al仍嫌過高.本研究擬利用設備簡單,經濟的液相沈積技術,在室溫下(.sim. 40 □)成長矽氧化膜,探討它的物性,電性,並探討它在多層配導線,LCD-TFT及Passivation等應用之可行性.�實施方法:ぇ利用下列二個基本反應式,於過飽和之H/sub 2/SiF /sub 6/溶液添加H/sub 3/BO/sub 3/,沈積SiO/sub 2/膜.え建立長膜的條件因素,包含濃度,體積,溫度...... 等.ぉ評測沈積膜的物理,化學,電性特性,並改變條件力求膜質最佳化.�探討沈積膜在應用上之可行性,配合室溫長膜特點,開發應用.�預期成果ぇ可有效掌握該室溫液相沈積矽氧化膜技術之學術價值.え可全盤澄清該技術左右膜質的製程條件.ぉ可提供該技術的最佳沈積條件,供應用開發方面使用.	zh_TW
dc.description.abstract		en_US
dc.description.sponsorship	行政院國家科學委員會	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	矽氧化膜	zh_TW
dc.subject	低溫	zh_TW
dc.subject	液相沈積	zh_TW
dc.subject	物性	zh_TW
dc.subject	Liquid phase deposition	en_US
dc.subject	SiO2	en_US
dc.subject	Room temperature	en_US
dc.subject	Properties	en_US
dc.title	室溫液相沈積矽氧化膜之特性探討	zh_TW
dc.title	Investigation of Room-Temperature Liquid-Phase Deposition Silicon Oxide	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	交通大學電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	研究計畫