高電子遷移率電晶體及其製造方法

Abstract

本發明提供一種高電子遷移率電晶體，以閘極掘入結構搭配高介電常數氧化層以及氮化物介面鈍化層，具有高臨界電壓、高轉導、高穩定之汲極輸出電流以及高可靠度等特性及優點。