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English
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目前位置:
國立陽明交通大學機構典藏
學術出版
專利資料
標題:
高速電晶體
作者:
李?宇
鄒安傑
郭浩中
張俊彥
公開日期:
1-八月-2016
摘要:
本發明係提供一種高速電晶體,包括基板、形成於該基板上方的超晶格結構以及形成於該超晶格結構上的磊晶層。該高速電晶體使用具有碳摻雜的氮化鋁/氮化鎵的超晶格結構作為磊晶層與基板之間的結構,而能有效減少垂直漏電流,進而能夠提昇磊晶品質及高速電晶體之崩潰電壓。
官方說明文件#:
H01L029/778
H01L021/22
URI:
http://hdl.handle.net/11536/132299
專利國:
TWN
專利號碼:
201628191
顯示於類別:
專利資料
文件中的檔案:
存到雲端
201628191.pdf
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IR@NYCU
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軍用射頻關鍵元組件技術開發 / 張翼;CHANG EDWARD YI
砷化銦/砷化鋁銦應力補償之高速電晶體 / 蔡中
高溫適用之氮化鎢T型閘極氮化鋁鎵/氮化鎵高速電晶體之製程開發與材料分析 / 方照詒;Chao-Yi Fang;張翼;馮明憲;Edward Yi Chang
交大e-News第267期-張懋中校長榮膺HKN Vladimir Karapetoff 科技終身成就獎章 /
金屬/石墨烯介面傳輸機制研究 / 包家禎;Pao, Chia-Chen;簡紋濱;Jian, Wen-Bin
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