| 標題: | 記憶體結構 |
| 作者: | 張俊彥 鄭淳護 邱于建 |
| 公開日期: | 16-十月-2016 |
| 摘要: | 一種記憶體結構，包括基底、第一介電層、導體層、鐵電材料層與電荷擷取層。第一介電層設置於基底上。導體層設置於第一介電層上。鐵電材料層與電荷擷取層堆疊設置於第一介電層與導體層之間。 |
| 官方說明文件#: | H01L027/105 H01L021/8239 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/132318 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201637172 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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