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English
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目前位置:
國立陽明交通大學機構典藏
校內出版品
交大學刊
標題:
Negative Differential Resistance in Reserve-Biased Metal-Semiconductor Systems
作者:
張俊彥
黃政雄
施敏
C.Y.Chang
C.H.Huang
S.M.Sze
公開日期:
四月-1969
出版社:
交大學刊編輯委員會
URI:
http://hdl.handle.net/11536/137446
期刊:
交大學刊
SCIENCE BULLETIN NATIONAL CHIAO-TUNG UNIVERSITY
Volume:
3
Issue:
2
起始頁:
65
結束頁:
80
顯示於類別:
交大學刊
文件中的檔案:
存到雲端
HT001299-03.pdf
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IR@NYCU
CrossRef
THE NEW GENERAL REALIZATION-THEORY OF FET-LIKE INTEGRATED VOLTAGE-CONTROLLED NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICES / WU, CY;WU, CY
Room temperature negative differential resistance in DNA-based molecular devices / Jangjian, Peng-Chung;Liu, Tzeng-Feng;Li, Mei-Yi;Tsai, Ming-Shih;Chang, Chia-Ching
金屬半導體介面之研究 / 張俊彥;Zhang, Zun-Yan;施敏;Shi, Min
Resistive switching characteristics of ytterbium oxide thin film for nonvolatile memory application / Tseng, Hsueh-Chih;Chang, Ting-Chang;Huang, Jheng-Jie;Chen, Yu-Ting;Yang, Po-Chun
Investigating bipolar resistive switching characteristics in filament type and interface type BON-based resistive switching memory / Tseng, Hsueh-Chih;Chang, Ting-Chang;Cheng, Kai-Hung;Huang, Jheng-Jie;Chen, Yu-Ting
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