Gal-xAlxAsl-yPy均一組成的液相成長

標題:	Gal-xAlxAsl-yPy均一組成的液相成長 An Uniformly Compositional Gal-xAlxAsl-yPy Layer Grown on GaAs by Liquid Phase Epitaxy
作者:	李耀亭 Y.T.Lee
公開日期:	四月-1978
出版社:	交大學刊編輯委員會
摘要:	Aluminum and Phosphorus are distributed uniformly in Ga1-xAlxAs1-yPy epitaxial layer grown on GaAs substrate by Temperature Difference Method[4].
URI:	http://hdl.handle.net/11536/137603
期刊:	交通大學學報 The Journal of National Chiao Tung University
Volume:	4
起始頁:	27
結束頁:	28
顯示於類別：	交通大學學報

文件中的檔案：

若為 zip 檔案，請下載檔案解壓縮後，用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。