氧化鉿電阻式記憶體特性之研究

標題:	氧化鉿電阻式記憶體特性之研究 Study on the Resistive Switching Characteristics of the Hafnium Oxide-Based Resistive Random Access Memory (RRAM) Devices
作者:	林冠佑鄭晃忠 Lin, Kuan-Yu Cheng, Huang-Chung 電子研究所
關鍵字:	電阻式記憶體;爐管退火;快速金屬退火;氧化鉿;電場增強效應;低操作電壓;RRAM;Furnace annealing;Rapid thermal annealing;Hafnium oxide;Field-enhanced effect;Low operation voltages
公開日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070350126 http://hdl.handle.net/11536/139312
顯示於類別：	畢業論文