標題: VLSI漏電區域的定位與解析
The Location and Root Cause of the VLSI Leakage Path
作者: 穆劍龍
吳耀銓
Mu, Chien-Lung
Wu, Yew-Chung
工學院半導體材料與製程設備學程
關鍵字: 失效分析;電性分析;漏電;OBIRCH;InGaAs;Thermal emmi;ASIC;IP;Fourier Transform
公開日期: 2017
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070261302
http://hdl.handle.net/11536/140275
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