標題: 應變閘極堆疊負電容鐵電介電層應用於低功耗記憶體與次10奈米電晶體之研究
Strained-Gate with Negative Capacitance Ferroelectric Dielectric Layer for Energy Efficient Memories and Sub-10nm Transistors
作者: 邱于建
張俊彥
鄭淳護
Chiu, Yu-Chien
Chang, Chun-Yen
Cheng, Chun-Hu
電子研究所
關鍵字: 鐵電;負電容;氧化鋯鉿;非揮發性;記憶體;ferroelectric;negative capacitance;HfZrO;nonvolatile;memory
公開日期: 2017
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070380111
http://hdl.handle.net/11536/141054
顯示於類別:畢業論文