應變閘極堆疊負電容鐵電介電層應用於低功耗記憶體與次10奈米電晶體之研究

標題:	應變閘極堆疊負電容鐵電介電層應用於低功耗記憶體與次10奈米電晶體之研究 Strained-Gate with Negative Capacitance Ferroelectric Dielectric Layer for Energy Efficient Memories and Sub-10nm Transistors
作者:	邱于建張俊彥鄭淳護 Chiu, Yu-Chien Chang, Chun-Yen Cheng, Chun-Hu 電子研究所
關鍵字:	鐵電;負電容;氧化鋯鉿;非揮發性;記憶體;ferroelectric;negative capacitance;HfZrO;nonvolatile;memory
公開日期:	2017
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070380111 http://hdl.handle.net/11536/141054
顯示於類別：	畢業論文