金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究

標題:	金屬氧化物選擇器搭配氧化鋯電阻式記憶體之特性研究 Investigation on ZrO2-based RRAM with metal-oxide selector
作者:	李承鴻曾俊元 Lee, Cheng-Hung Tseng,Tseung-Yuen 電子研究所
關鍵字:	金屬氧化物;選擇器;電阻式記憶體;metal oxide;selector;rram
公開日期:	2017
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070450118 http://hdl.handle.net/11536/141315
顯示於類別：	畢業論文