高效能低操作偏壓非晶氧化銦鎢薄膜電晶體之研究

标题:	高效能低操作偏压非晶氧化铟钨薄膜电晶体之研究 Study on High Performance Amorphous Indium Tungsten Oxide Thin Film Transistors with Low Operation Voltage
作者:	张建民刘柏村 Chang, Chien-Min Liu, Po-Tsun 光电工程研究所
关键字:	非晶氧化物半导体;氧化铟钨薄膜电晶体;超薄通道元件;无接面元件;低操作偏压;Amorphous Oxide Semiconductors;Indium tungsten oxide thin film transistor;Ultra-thin body device;Junctionless device;low operation voltage
公开日期:	2017
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070450530 http://hdl.handle.net/11536/141759
显示于类别：	Thesis

APA	张., 刘., Chang, C., & Liu, P. (2017). 高效能低操作偏压非晶氧化铟钨薄膜电晶体之研究. http://hdl.handle.net/11536/141759.
Bibtex	@article{张建民 and 刘柏村 and Chang2017, title={高效能低操作偏压非晶氧化铟钨薄膜电晶体之研究}, author={张建民 and 刘柏村 and Chang, Chien-Min and Liu, Po-Tsun}, journal={http://hdl.handle.net/11536/141759}, year={2017}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/141759?locale=zh_CN}, }