標題: 金屬氧化物場效電晶體與氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體脈衝波測試與分析
MOSFET and GaN HEMT Pulse Test and Analysis
作者: 黃昭華
成維華
鄭時龍
Huang,Chao-Hua
Chien,Wei-Hua
Jeng,Shyr-Long
機械工程系所
關鍵字: 金屬氧化物場效電晶體;氮化鎵高速電子遷移率場效電晶體;MOSFET;GaN HEMT
公開日期: 2017
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070451111
http://hdl.handle.net/11536/141891
顯示於類別:畢業論文