完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 莊紹勳 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 謝易叡 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 林宜憲 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:00:56Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:00:56Z | - |
| dc.date.issued | 2017-08-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/40 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/66 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151388 | - |
| dc.description.abstract | 本揭露提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構，至少位於半導體基底內。半導體裝置結構也包括通道結構，位於半導體基底上。源極結構被通道結構局部地覆蓋。半導體裝置結構還包括汲極結構，覆蓋通道結構。汲極結構及源極結構具有不同的導電類型。通道結構的一部分夾設於源極結構與汲極結構之間。再者，半導體裝置結構包括閘極堆疊，局部地覆蓋通道結構。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半導體裝置結構 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201727896 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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